逆变器仿真

设计中的难点

s   半导体器件建模。

s   IGBT特征化建模。

Ansys技术方案

s   Simplorer自带精确的IGBT模型。

s   Maxwell与Simplorer联合仿真。

设计中的难点

s   半导体器件电气仿真。

s   IGBT在运行时温度。

Ansys技术方案

s   通过精确的建模可以仿真IGBT温度。

s   Maxwell与Simplorer联合仿真。

设计中的难点

s EMC传导干扰问题。

Ansys技术方案

s   通过Q3D抽取线缆的电阻、电感、电容参数矩阵。

s   RLC matrix导出等效电路进行系统仿真。

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